关于半导体载流子浓度的质量作用定律: 下列哪种说法正确? A. 对本征半导体成立，对非本征半导体不成立。 B. 对本征半导体成立，对非本征半导体也成立。 C. 对本征半导体不成立，对非本征半导体成立。

关于半导体载流子浓度的质量作用定律: 下列哪种说法正确? A. 对本征半导体成立，对非本征半导体不成立。 B. 对本征半导体成立，对非本征半导体也成立。 C. 对本征半导体不成立，对非本征半导体成立。 D. 对本征半导体不成立，对非本征半导体也不成立。

半导体载流子浓度的质量作用定律主要描述了半导体中电子和空穴的浓度与温度以及带隙的关系。

具体地，质量作用定律表明，对于本征半导体（即没有掺杂的半导体），载流子浓度 $n_e$ 和空穴浓度 $n_h$ 是由半导体的本征性质（如能带宽度、温度等）决定的，它们满足以下关系：

其中，$n_i$ 是本征载流子浓度，它与温度和带隙有关。

对于非本征半导体（即掺杂半导体），质量作用定律通常不再适用，因为掺杂改变了载流子的浓度，并且掺杂对载流子浓度的影响比温度和带隙的影响更显著。

因此，正确答案是 A：对本征半导体成立，对非本征半导体不成立。